RJK2009DPM-00#T0
Renesas Electronics America Inc
Deutsch
Artikelnummer: | RJK2009DPM-00#T0 |
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Hersteller / Marke: | Renesas Electronics Corporation |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 200V 40A TO3PFM |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | - |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-3PFM |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max) | 60W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | - |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 40A (Ta) |
Grundproduktnummer | RJK2009 |
RJK2009DPM-00#T0 Einzelheiten PDF [English] | RJK2009DPM-00#T0 PDF - EN.pdf |
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RJK2009DPM-00#T0Renesas Electronics America Inc |
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Zielpreis (USD)
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